این شرکت روز سه شنبه اعلام کرد Samsung در حال تولید انبوه کوچکترین DDR5 DRAM صنعت است.
DRAM 14 نانومتری EUV DDR5 جدید تنها 14 نانومتر است و دارای پنج لایه فناوری فرابنفش شدید (EUV) است. سرعت آن به 7.2 گیگابیت در ثانیه می رسد که بیش از دو برابر سرعت DDR4 است. سامسونگ همچنین ادعا می‌کند که فناوری جدید EUV به DDR5 DRAM بالاترین تراکم بیت را می‌دهد، در حالی که بهره‌وری را تا 20% افزایش می‌دهد و مصرف انرژی را تا 20% کاهش می‌دهد.
EUV روز به روز اهمیت بیشتری پیدا می کند زیرا DRAM همچنان در اندازه کوچک می شود. سامسونگ گفت که این به بهبود دقت الگوبرداری کمک می کند، که برای عملکرد بالاتر و بازدهی بیشتر لازم است.کوچک سازی فوق العاده DRAM 14 نانومتری DDR5 قبل از استفاده از روش تولید معمولی فلوراید آرگون (ArF) امکان پذیر نبود و این شرکت امیدوار است که فناوری جدید آن به رفع نیاز به عملکرد و ظرفیت بیشتر در زمینه هایی مانند 5G و هوش مصنوعی کمک کند.
در ادامه، سامسونگ اعلام کرد که می خواهد یک تراشه DRAM 24 گیگابیتی 14 نانومتری ایجاد کند تا به نیازهای سیستم های فناوری اطلاعات جهانی کمک کند. همچنین قصد دارد مجموعه 14 نانومتری DDR5 خود را برای پشتیبانی از مراکز داده، ابررایانه ها و برنامه های کاربردی سرور سازمانی گسترش دهد.
